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1納米芯片在2027年實現(xiàn)？

來源：36氪 ? 2021-12-03 14:58:32

全球尖端半導體的開發(fā)競爭將進入新階段。與世界大型企業(yè)展開合作的比利時研究機構(gòu)微電子研究中心(imec)策定了電路線寬為1納米（納米為10億分之1米）芯片在2027年實現(xiàn)實用化的路線圖。表示之后的0.7納米芯片也將在2029年以后量產(chǎn)。如果成功實現(xiàn)，人工智能（AI）等的處理性能有望飛躍式提高。

尖端半導體在約50年里維持符合性能約2年翻一番的“摩爾定律”的技術(shù)開發(fā)。近年來，有觀點認為臨近物理極限，但微電子研究中心的首席執(zhí)行官（CEO）Luc Van den hove接受日本經(jīng)濟新聞采訪時強調(diào)：“（摩爾定律）將隨著與新技術(shù)的結(jié)合而持續(xù)”。

微電子研究中心是擁有約5000名研究者的非營利的研究機構(gòu)。臺積電（TSMC）、美國英特爾和韓國三星電子等大型半導體廠商、設(shè)備與原材料廠商通過派遣研究人員或進行委托研究來參與其中。此前，根據(jù)微電子研究中心的路線圖開發(fā)的技術(shù)成為各企業(yè)推進實用化的基礎(chǔ)。

此次，微電子研究中心提出新的路線圖，在預測尖端半導體今后的發(fā)展方面成為重要指導方針。

受此推動，今后著眼于“1納米以下”的競爭或?qū)⑷鎲印Ｄ壳暗募舛水a(chǎn)品為臺積電和三星量產(chǎn)的5納米芯片，兩家企業(yè)計劃在2025年啟動2納米芯片的量產(chǎn)。英特爾也表示，同一年恢復世界頂尖的制造技術(shù)，正加快推進研發(fā)。美國IBM于5月宣布已成功進行2納米芯片的試制。

此前開發(fā)競爭的核心是電路線寬的微細化，但Luc Van den hove指出，今后除了微細化之外，“通過新元件結(jié)構(gòu)以及將晶體管與芯片堆疊起來的三維化，（性能提高）將被實現(xiàn)”。關(guān)于新結(jié)構(gòu)等的實現(xiàn)，對于和日本材料廠商的合作顯示出期待。

微電子研究中心的首席執(zhí)行官（CEO）Luc Van den hove

另一方面，關(guān)于2納米以下量產(chǎn)不可或缺的新一代EUV（極紫外）光刻設(shè)備，正在與荷蘭ASML控股推進共同開發(fā)項目，日本東京電子也參與其中。Luc Van den hove針對項目的進度透露，“計劃到2023年初推出試制機，還有企業(yè)尋求2026年實現(xiàn)量產(chǎn)”。

半導體性能的飛躍式提高將在家電和機器人等日常生活中的“邊緣終端”領(lǐng)域推動負責計算處理的AI的利用?，F(xiàn)在，AI的龐大計算處理在云平臺上完成的情況很多，但Luc Van den hove指出，“未來將變?yōu)椋ㄅc邊緣終端）保持平衡”，隨著處理由云平臺和邊緣終端分擔，希望有助于減少向數(shù)據(jù)中心發(fā)送之際等需要的耗電量。

本文來自微信公眾號“日經(jīng)中文網(wǎng)”（ID：rijingzhongwenwang），作者：日經(jīng)中文網(wǎng)，36氪經(jīng)授權(quán)發(fā)布。

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